酷搜题
登录
搜索
对突触后抑制的叙述,正确的是
A: 必须通过抑制性中间神经元实现
B: 是由于突触后膜呈超极化
C: 其产生仅与IPSP有关,而与EPSP无关
D: 可分为侧支抑制和返回抑制
答案:
查看答案
解析:
相关题目
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位
抑制性突触后电位
突触后抑制的产生机制是
抑制性突触后电位是
突触后抑制的形成是由于
抑制性突触后电位产生的离子机制是
抑制性突触后电位产生的离子机制是
关于突触后抑制正确的叙述有:
查看答案确认
查看答案将消耗1积分,是否继续?
不再提醒
确定
取消